Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Protection G-S: non. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.1A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -6.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9520. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F9520. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -6.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9520PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 860pF. C (out): 340pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 8.2A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 88W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 760pF. C (out): 260pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 56A. Id (T=100°C): 10A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, TO220AB. Boîtier: TO220AB. Polarité: MOSFET P. Vdss (tension drain à source): -100V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 79W. Type de montage: THT

ROHS: Oui. Boîtier: D2PAK. Montage/installation: SMD. Type de conditionnement: Tekercs. Type de transistor: P-MOSFET. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: -100V. Courant de drain: -14A. Puissance: 3.8W. Type de canal: 'enhanced'

Transistor canal P, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 590pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 13A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 16A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, TO220AB. Boîtier: TO220AB. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 140W. Type de montage: THT. Polarité: MOSFET P. Vdss (tension drain à source): -100V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 23A. Tension d'entraînement: 10V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9540. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 170pF. C (out): 50pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 7A. Id (T=100°C): 1A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -200V, -1.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9610PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 350pF. C (out): 100pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Protection G-S: non. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -200V, -3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9620PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 2.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 700pF. C (out): 200pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, TO220AB. Boîtier: TO220AB. Polarité: MOSFET P. Vdss (tension drain à source): -200V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 6.5A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 74W. Type de montage: THT

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -200V, -6.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9630PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.6A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Puissance: 125W. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, TO220AB. Boîtier: TO220AB. Polarité: MOSFET P. Vdss (tension drain à source): -200V. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 11A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de montage: THT

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F9640S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: Oui. Boîtier: SO8. Puissance: 2W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2. Polarité: unipolaire. Tension drain - source: -30V. Courant de drain: -2.3A. Résistance dans l'état passant: 250m Ohms. Tension grille-source: 20V. Charge: 6.1nC. Résistance thermique: 62.5K/W

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9953. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C