Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, TO-220AB, -55V, -19A, 17A, -55V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Courant de drain maxi: 17A. Tension drain - source (Vds): -55V. Marquage du fabricant: IRF9Z34NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Puissance: 56W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F9Z34NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 620pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 270pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 8.8A. Id (T=100°C): 0.8A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal P, 1.1A, DIP-4, -60V. Courant de drain maxi: 1.1A. Boîtier: DIP-4. Tension drain - source (Vds): -60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms

Transistor canal P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: FET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 13A. Id (T=100°C): 1.1A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, HD-1, -60V, -1.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: HD-1. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9024PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 5.6A. Id (T=100°C): 0.49A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Boîtier (norme JEDEC): 1.2 Ohms. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9110PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.6A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, DIP4, -100V, -1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Id (T=25°C): 0.56A. Idss (maxi): 0.56A. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.34A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, HD-1, -200V, -0.56A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: HD-1. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9220PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, ITO-220AB, -100V, -11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFI9540GPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 4.3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 2.7A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Transistor canal P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 4.1A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 2.6A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Fonction: td(on) 12ns, td(off) 34ns

Transistor canal P, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. Id (T=25°C): 1.5A. Idss (maxi): 1.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 0.96A. Remarque: b47kaa. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -60V, -0.18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FE. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 270pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. Id (T=25°C): 1.1A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. Id (T=100°C): 0.69A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -100V, -1.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 16A. Idss (min): 25mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, -100V, -23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP9140NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, -100V, -21A, 180W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Boîtier (norme JEDEC): 180W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP9140PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1200pF. C (out): 370pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.5A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP240. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-247, -200V, -12A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP9240PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C