Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 50V. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 125us. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 6A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D8P05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 20A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, TO-220FP, TO-220F, 630V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 630V. C (in): 1250pF. C (out): 40pF. Diode CE: non. Type de canal: P. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 200A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal P, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSMT6. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 780pF. C (out): 180pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Protection G-S: oui. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: TM. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 65m Ohms. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 2.9x1.6mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 4.4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 3.3A. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET

Transistor canal P, 3A, 3A, 200V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F)

Transistor canal P, 3.4A, 3.4A, 250V. Id (T=25°C): 3.4A. Idss (maxi): 3.4A. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 2.6A. Remarque: On 13ns, Off 40ns. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V, -2.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L7. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V, -2.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L7. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -30V, -2.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: N7. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: N9. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 210pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M5. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 715pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -40V, -3.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 595pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -20V, -4.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.0V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 71 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -7.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1225pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: O4. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1275pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 1.95A. Idss (min): 1nA. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V

Transistor canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 35ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.9A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.9A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11.4A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 41ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 9.1A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431CDY-T1-GE3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1006pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 5.6A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

ROHS: Oui. Boîtier: SO8. Puissance: 5W. Montage/installation: SMD. Type de transistor: P-MOSFET. Polarité: unipolaire. Tension drain - source: -30V. Courant de drain: -6.5A, -8.1A. Résistance dans l'état passant: 35mΩ. Tension grille-source: ±20V. Charge: 50nC

Transistor canal P, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 8.8A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET

Transistor canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Trr Diode (Min.): 60 ns. Protection G-S: non. Id (T=100°C): 5.7A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET