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Transistor 2SC5129

Transistor 2SC5129
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Transistor 2SC5129. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: MONITOR HA,Hi-res. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C5129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: temps de descente 0.15..03us (64kHz). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 06:25.

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