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Transistor BD140

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Transistor BD140. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD140. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

Documentation technique

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Transistor. Boîtier: TO-126. Marquage du fabricant: BD140-16. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -1.5A. Puissance: 12.5W. Fréquence maxi: 50MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139-16. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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