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Transistor BDV65BG

Transistor BDV65BG
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Transistor BDV65BG. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDV65BG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1000. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDV64B. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 18:25.

Documentation technique

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