Transistors

Transistor. C (in): 11pF. C (out): 1.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 0.5A. Marquage sur le boîtier: s1D. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Fonction: amplificateur haute tension, version CMS du MPSA42. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) SMBTA92. Spec info: sérigraphie/code CMS S1D. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A6A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.24W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. C (in): 8180pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Increased MOSFET dv/dt ruggedness'. Id(imp): 267A. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 77.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 6R041P6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 481W. Résistance passante Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Marquage sur le boîtier: TB. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.017...0.025 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Transistor. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SP8M4FU6TB. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

Transistor. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Dissipation de puissance maxi: 31W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 21.9A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60C3. Dissipation de puissance maxi: 32W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-220 (PG-TO220FP). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 07N60C3. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 790pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: boîtier isolé (2500VAC, 1 min). Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N65C3. Dissipation de puissance maxi: 33W. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 16N50C3. Dissipation de puissance maxi: 34W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 560V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle. Remarque: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 32A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 4480pF. C (out): 1580pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 195 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Enhancement mode'. Id(imp): 320A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N04H4. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.4M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 22.8A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 560V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 60us. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 0.1uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Dissipation de puissance maxi: 24W. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 32 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id(imp): 112A. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: 28N03L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N80C3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 785pF. C (out): 33pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 06N80C3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 750 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Date de production: 2015/05. Id(imp): 14.6A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N60S5. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Protection G-S: non