Transistors

Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 415 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 28A. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P1. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: 13005A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Résistance BE: 50. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 12A. Marquage sur le boîtier: ST13009L. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Fonction: hFE 15...28. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ST13009L. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 122pF. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: applications de commutation, automobile. Protection G-S: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: Amplificateur de moyenne puissance. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) STD1862

Transistor. C (in): 940pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 122 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (avec diode rapide). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 540pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10NM60N. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 340pF. C (out): 40pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 7.2A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10P6F6. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 75. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2000. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 310pF. C (out): 49pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 3A. Marquage sur le boîtier: D4NK50Z. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 500V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 510pF. C (out): 47pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4A. Marquage sur le boîtier: D4NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 545pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. Id (T=100°C): 2.77A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 5N52K3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 525V. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée, faible IDSS. Spec info: Enhancement type. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 529pF. C (out): 71pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 5N52U. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.25 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 525V. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée. Spec info: Enhancement type. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (out): 24.6pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 213 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 7NM60N. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.84 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. C (in): 363pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Dissipation de puissance maxi: 460W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Isolation électrique: 2500V (AC-RMS). Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (type): 38 ns. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Tr: 70 ns. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: ±30V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui

Transistor. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 870pF. C (out): 50pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13N80K5. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non