Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26fr | 1.36fr |
5 - 9 | 1.20fr | 1.30fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 60 | 1.11fr | 1.20fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.26fr | 1.36fr |
5 - 9 | 1.20fr | 1.30fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 60 | 1.11fr | 1.20fr |
Transistor canal N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V - BUZ102S. Transistor canal N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): P-TO263-3-2. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1220pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 09:25.
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