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Transistor IRF640

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Transistor IRF640. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 430pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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