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Transistor IRF640N

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Transistor IRF640N. Transistor. C (in): 1160pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 167 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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